SI3476DV-T1-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI3476DV-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI3476DV-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 4.6 A Rds On: 105 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 15 ns Forward Transconductance - Min: 7 S Gate Charge Qg: 4.9 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.6 W Rise Time: 50 ns Factory Pack Quantity: 3000 Tradename: ThunderFETr Typical Turn-Off Delay Time: 12 ns
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
24.05.2024
22.05.2024
21.05.2024