SI3973DV-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI3973DV-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI3973DV-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI3973DV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 12 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 2.4 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.087 Ohms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 830 mW Part # Aliases: SI3973DV-GE3
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024