SI4062DY-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI4062DY-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI4062DY-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 32.1 A Rds On: 5.5 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 10 ns Forward Transconductance - Min: 80 S Gate Charge Qg: 40 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 7.8 W Rise Time: 105 ns Factory Pack Quantity: 2500 Tradename: TrenchFETr Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI4062DY-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 197,12 KB